Жартылай өткізгіш өнімдердің ірі келісімшарттық өндірушісі TSMC, дереккөздің айтуынша, 2 нанометрлік технологиялық процесті игеру жоспарланған өндірістік кешеннің құрылысын бастады. Кешен құрамында ҒЗТКЖ орталығы мен өндіріс орны бар. Жаңа нысандар Тайваньдағы Хсинчу ғылыми паркіндегі компанияның бас кеңсесінің жанында орналасады.
Алдын ала мәліметтер бойынша, 2 нанометрлік процесте Gate-All-Around (GAA) технологиясы қолданылады. Сонымен бірге өндіруші 1 нанометрлік техникалық процесті әзірлеуді жоспарлауды бастады.
Кристаллды өндіру технологияларымен қатар компания орау технологияларын жетілдіруде. Ол SoIC, InFO, CoWoS және WoW сияқты озық орау технологияларын енгізуді жеделдетуді жоспарлап отыр. Олардың барлығы TSMC бойынша 3D Fabric ретінде жіктеледі, бірақ олардың кейбіреулері 2.5D-ге сілтеме жасайды. Бұл технологиялар 2021 жылдың екінші жартысында ЖуНань және НанКэ желілерінде жаппай өндіріске енгізіледі.
Сондай-ақ оқыңыз: