IBM концептуалды нанопарақ транзисторы азоттың қайнау температурасында өнімділіктің екі есеге жуық артқанын көрсетті. Бұл жетістік бірнеше технологиялық жетістіктерге әкеледі және нанопарақ транзисторларын FinFET транзисторларымен ауыстыруға жол ашады деп күтілуде. Одан да қызықтысы, бұл чиптердің неғұрлым қуатты класының дамуына әкелуі мүмкін.
Сұйық азот жартылай өткізгіштерді өндіру процесінде жылуды кетіру және маңызды технологиялық аймақтарда инертті ортаны құру үшін кеңінен қолданылады. Алайда, ол өзінің қайнау температурасына жеткенде, яғни 77 Кельвин немесе -196 °C, оны белгілі бір аймақтарда пайдалану мүмкін емес, өйткені нанопарақ транзисторларының қазіргі буыны мұндай температураға төтеп беруге арналмаған.
Бұл шектеу өте өкінішті, өйткені теориялық тұрғыдан чиптер мұндай ортада жұмысын жақсарта алады деп болжанған. Енді бұл мүмкіндікті іске асыруға болады, мұны осы айда Сан-Францискода өткен 2023 IEEE халықаралық электронды құрылғылар жиналысында ұсынылған IBM концептуалды нанопарақ транзисторы дәлелдейді.
Концепциялық транзистор 300 К бөлме температурасымен салыстырғанда азоттың қайнау нүктесіндегі өнімділікті екі есе дерлік көрсетті. Бұл өнімділіктің жоғарылауы тасымалдаушы шашырауының аз болуына байланысты, бұл қуат тұтынуды азайтады. Қуатты тұтынуды азайту транзистордың енін азайту арқылы чиптің өлшемін азайтуға көмектеседі. Шынында да, бұл даму IC қызып кетпей, сұйық азотпен салқындату арқылы жасалған жоғары өнімді ИК-тердің жаңа класына әкелуі мүмкін.
IBM компаниясының наноқабатты транзисторлар концепциясы FinFETтерді наноқабатты транзисторлармен күтілетін ауыстыруда да рөл атқаруы мүмкін, өйткені соңғысы 3 нм чиптердің техникалық қажеттіліктерін жақсырақ қанағаттандыруы мүмкін. FinFET-терге қарағанда наноқабат транзисторлардың артықшылығы, жалпы алғанда, кіші өлшемді, жоғары басқару тогын, аз өзгергіштігін және барлық периметрлік қақпа құрылымын қамтиды. Жоғары басқару тогына нанопарақтарды жинақтау арқылы қол жеткізіледі. Стандартты логикалық ұяшықта нанопарақтар түріндегі өткізгіш арналар тек бір FINFET құрылымы сыйатын аймақта жинақталған.
Нанопарақ транзисторлары TSMC N2 және Intel 2A сияқты 20 нм класты түйіндермен өзінің салалық дебютін күтуге болады. Олар сонымен қатар IBM компаниясының алғашқы 2 нанометрлік прототиптік процессорында қолданылады.
Әлбетте, чиптерді өндіру технологиясында кішірек әрқашан жақсырақ, және мұнда да наноқабат транзисторлар саланы алға жылжытады.
IBM аға ғылыми қызметкері Руцян Баоның айтуынша, наножүйенің архитектурасы IBM-ге 50 миллиард транзисторды шамамен саусақтың өлшеміне дейінгі кеңістікке орналастыруға мүмкіндік береді. Бір сөзбен айтқанда, нанопарақ технологиясы IEEE атап өткендей, масштабтау логикалық құрылғыларының ажырамас бөлігі болады.
Сондай-ақ оқыңыз: