Бұл күтілуде Samsung келесі аптада 3 нм микросхемалардың жаппай өндірісінің басталғаны туралы хабарлайды, деп хабарлайды Yonhap News. Бұл компанияны осы жылдың екінші жартысында 3 нм чиптерді шығаруды бастайды деп күтілетін TSMC-тен озып кетті.
5 нм процесімен салыстырғанда (ол Snapdragon 888 және Exynos 2100 үшін қолданылған) Samsung 3 нм түйіні аумақты 35%-ға азайтады, өнімділікті 30%-ға арттырады және қуат тұтынуды 50%-ға азайтады.
Бұған Gate-All-Around (GAA) транзисторлық дизайнына ауысу арқылы қол жеткізіледі. Бұл FinFET-тен кейінгі келесі қадам, өйткені ол транзисторлардың өлшемін олардың ток өткізу қабілетіне зиян келтірместен азайтуға мүмкіндік береді. 3 нм түйінінде қолданылатын GAAFET дизайны төмендегі суретте көрсетілген.
Өткен айда АҚШ президенті Джо Байден зауытқа барды Samsung Пхенчтекте 3 нм технологиясын көрсетуге қатысу үшін Samsung. Өткен жылы компания Техастағы 10 нм құю зауытын салуға 3 миллиард доллар инвестициялауы мүмкін деген қауесет тараған болатын. Бұл инвестиция көлемі 17 миллиард долларға дейін өсті.Зауыт 2024 жылы жұмыс істей бастайды деп күтілуде.
Кез келген жағдайда, жаңа түйінді жасау кезінде ең үлкен алаңдаушылық - бұл шығару. Өткен жылдың қазан айында Samsung 3 нм процесінің өнімділігі «4 нм үдерісімен бірдей деңгейге жақындап келеді» деп мәлімдеді. Компания ресми сандарды ұсынбағанымен, сарапшылар 4 нм түйін деп санайды Samsung өндіріс проблемаларымен байланысты болды.
Екінші буын 3 нм түйін 2023 жылы күтілуде, ал компанияның жол картасы 2 жылы 2025 нм MBCFET негізіндегі түйінді қамтиды.
Сіз Украинаға орыс басқыншыларына қарсы күресуге көмектесе аласыз. Мұны істеудің ең жақсы жолы - Украина Қарулы Күштеріне қаражат беру Lifelife немесе ресми парақшасы арқылы NBU.
Сондай-ақ оқыңыз:
пікір қалдыру